专利
专利名称：参考电压产生电路
专利号：201010619480.1
专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
时间：2010-12-31
专利名称：通孔加工方法
专利号：201010619478.4
专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
时间：2010-12-31
专利名称：电荷泵电路
专利号：201010618786.5
专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
时间：2010-12-31
专利名称：改进型带隙基准电压源及带隙基准电压产生电路
专利号：201010618785.0
专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
时间：2010-12-31
专利名称：硅通孔内形成绝缘层的方法
专利号：201010618737.1
专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
时间：2010-12-31
专利名称：一种MOS器件结构及其制造方法
专利号：201010608073.0
专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
时间：2010-12-27
专利名称：MOS晶体管工艺角SPICE模型的建模方法
专利号：201010600543.9
专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
时间：2010-12-21
专利名称：晶体振荡器
专利号：ZL201020656390.5
专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
时间：2010-12-13
专利名称：电压电流转换器
专利号：201010575265.6
专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
时间：2010-12-06
专利名称：高K栅介质层的制备方法
专利号：201010571503.6
专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
时间：2010-12-02
专利名称：触发器电路以及分频器
专利号：201010535286.5
专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
时间：2010-11-08
专利名称：分频器
专利号：201010535278
专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
时间：2010-11-08
专利名称：MOS晶体管射频宏模型建立方法
专利号：201010535270.4
专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
时间：2010-11-08
专利名称：半导体参数测量系统的检测方法
专利号：201010535257.9
专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
时间：2010-11-08
专利名称：芯片参数测试的数据处理方法
专利号：201010535242.2
专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
时间：2010-11-08