专利
专利名称：金属电迁移测试设备及方法
专利号：201010535229.7
专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
时间：2010-11-08
专利名称：半导体硅片清洗工艺腔
专利号：ZL201020548508.2
专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
时间：2010-09-29
专利名称：制备双大马士革结构的方法
专利号：201010297241.9
专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
时间：2010-09-29
专利名称：钝化层及其制造方法
专利号：201010297229.8
专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
时间：2010-09-29
专利名称：一种套准测量图形
专利号：201010278722.5
专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
时间：2010-09-10
专利名称：一种用于外延工艺的光刻对准方法
专利号：201010278703.2
专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
时间：2010-09-10
专利名称：浅沟槽隔离结构形成方法
专利号：201010278674.X
专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
时间：2010-09-10
专利名称：半导体硅片清洗工艺腔和清洗方法
专利号：201010278585.5
专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
时间：2010-09-10
专利名称：一种锗化硅双极-互补金属氧化物半导体上变频混频器
专利号：201010281785.6
专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
时间：2010-09-15
专利名称：可配置零点的三阶单环增量总和调制器
专利号：201010271104.8
专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
时间：2010-08-31
专利名称：混频器
专利号：201010263875.2
专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
时间：2010-08-24
专利名称：移相掩模板结构及其制造方法
专利号：201010250531.8
专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
时间：2010-08-11
专利名称：提高光刻胶抗刻蚀能力的方法
专利号：201010250525.2
专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
时间：2010-08-11
专利名称：电压电流转换器
专利号：201010250523.3
专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
时间：2010-08-11
专利名称：一种TSV通孔形成方法和TSV通孔修正方法
专利号：201010250521.4
专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
时间：2010-08-11