专利
专利名称：一种保护掩膜板的方法
专利号：200910247753.1
专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
时间：2009-12-30
专利名称：用于ESD防护的MOS器件的形成方法
专利号：200910247747.6
专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
时间：2009-12-30
专利名称：一种检测外延缺陷的方法
专利号：200910201353.7
专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
时间：2009-12-17
专利名称：一种三极管
专利号：200910201352.2
专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
时间：2009-12-17
专利名称：一种防止深沟绝缘工艺中产生空洞的方法
专利号：200910199972.7
专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
时间：2009-12-04
专利名称：一种三极管基区结构
专利号：200910199970.8
专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
时间：2009-12-04
专利名称：湿法刻蚀中避免发生侧向侵蚀的方法
专利号：200910055896.2
专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
时间：2009-08-04
专利名称：半导体深沟槽绝缘工艺
专利号：200910055895.8
专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
时间：2009-08-04
专利名称：防止外延工艺中标记发生畸变的方法
专利号：200910055894.3
专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
时间：2009-08-04
专利名称：一种集成电路电阻电容工艺参数波动检测器及使用方法
专利号：200910055781.3
专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
时间：2009-07-31
专利名称：锁相环电路及其控制方法
专利号：200910052964.X
专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
时间：2009-06-12
专利名称：MOSFET BSIM3 热载流子注入可靠性模型的建模方法
专利号：200910052963.5
专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
时间：2009-06-12
专利名称：一种孔内光刻胶残余的检测方法以及相应的孔条宽测量方法
专利号：200910049048.0
专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
时间：2009-04-09
专利名称：A BOND PAD FOR LOW K DIELECTRIC MATERIALS AND METHOD FOR MANUFACTURE FOR SEMICONDUCTOR DEVICES
专利号：13/274,246
专利名称：离子注入方法设备及形成轻掺杂结构的方法
专利号：200910054410.3
