专利
专利名称：掩膜层的形成方法及刻蚀方法
专利号：200910201188.5
专利名称：METHODS FOR FORMING A GATE AND A SHALLOW TRENCH ISOLATION REGION AND FOR PLANARIZING AN ETCHED SURFACE OF SILICON SUBSTRATE
专利号：13/208,885
专利名称：METHODS FOR FORMING A GATE AND A SHALLOW TRENCH ISOLATION REGION AND FOR PLANARIZING AN ETCHED SURFACE OF SILICON SUBSTRATE
专利号：13/208,892
专利名称：栅极侧壁层的形成方法
专利号：200910045599.X
专利名称：通孔刻蚀方法
专利号：200910045140.X
专利名称：Charge pump circuit
专利号：12/542,533
专利名称：尖峰热处理设备稳定性的检测方法
专利号：200910051549.2
专利名称：金属层表面处理方法
专利号：200910049995.x
专利名称：晶圆可接受测试结构
专利号：200910047028.X
专利名称：method for collecting optical proximity correction parameter
专利号：12/573,753
专利名称：光刻装置和方法
专利号：200910045979.3
专利名称：半导体场效应晶体管的测试方法及测试结构
专利号：200910082352.5
专利名称：离子扩散及半导体器件形成的方法
专利号：200910049561.x
专利名称：次分辨率辅助图形校正方法
专利号：200910045706.9
专利名称：光学邻近校正规则的优化方法
专利号：200910045895.X
