专利

专利名称：电感耦合等离子体线圈及等离子体注入装置
专利号：201110421748.5
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-12-15
专利名称：一种PIII工艺流程控制和在线剂量、均匀性检测方法
专利号：201110421626.6
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-12-15
专利名称：电感耦合等离子体线圈及等离子体注入装置
专利号：201110421472.0
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-12-15
专利名称：一种等离子体腔室内衬结构
专利号：201110413562.5
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-12-13
专利名称：一种用于等离子体浸没注入中剂量检测装置
专利号：201110412965.8
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-12-12
专利名称：一种用于等离子体浸没注入中剂量检测方法
专利号：201110412670.0
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-12-12
专利名称：一种用于等离子体浸没注入中控制注入元素分布陡度的方法
专利号：201110412556.8
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-12-12
专利名称：一种等离子体浸没注入电极结构
专利号：201110412530.3
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-12-12
专利名称：一种等离子体浸没注入装置
专利号：201110412440.4
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-12-12
专利名称：一种控制注入结深度的方法
专利号：201110411591.8
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-12-12
专利名称：半导体腔室用压片装置
专利号：201110408402.1
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-12-09
专利名称：离子注入机控制系统
专利号：201110391341.2
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-11-30
专利名称：基于虚拟仪器的注入机控制系统
专利号：201110391317.9
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-11-30
专利名称：离子注入机
专利号：201110391312.6
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-11-30
专利名称：模块化离子注入机控制系统
专利号：201110391302.2
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-11-30
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