专利
专利名称：基于ARM的嵌入式注入机控制系统
专利号：201110389219.1
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-11-30
专利名称：一种浅结太阳能电池及其制备方法
专利号：201010294835.4
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-09-28
专利名称：一种多孔结构的衬底及其制备方法
专利号：201010260058.1
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-08-23
专利名称：一种等离子体浸没离子注入系统
专利号：201010217319.1
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-07-05
专利名称：等离子体浸没离子注入设备
专利号：201010209824.1
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-06-25
专利名称：一种黑硅的制备方法
专利号：201010181010.1
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-05-25
专利名称：用于检测等离子体浸没注入剂量的法拉第杯
专利号：200910304720.6
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2009-07-23
专利名称：用于双腔室结构等离子体浸没离子注入的隔板装置
专利号：201010219788.7
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-07-07
专利名称：一种太阳能电池正面栅线电极的制备方法
专利号：201110115647.5
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-05-05
专利名称：一种异质结太阳能电池及其制备方法
专利号：201110263401.2
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-09-07
专利名称：等离子体浸没注入机的注入离子剂量检测控制装置
专利号：201010255068.6
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-08-17
专利名称：一种离子注入剂量检测控制方法
专利号：201010255031.3
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-08-17
专利名称：基片均匀注入的方法
专利号：201010209816.7
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-06-25
专利名称：一种发光多孔硅的制备方法
专利号：201010181009.9
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-05-25
专利名称：等离子体浸没离子注入机
专利号：201130445442.4
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-11-29