专利
专利名称：利用集成电阻测量多芯片埋置型封装芯片接面温度的方法
专利号：201210015989.4
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2012-01-18
专利名称：多层金属化薄膜叠加制作电感元件的方法
专利号：ZL201210012849.1
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2012-01-16
专利名称：利用集成pn结测量多芯片埋置型封装芯片接面温度的方法
专利号：ZL201210015978.6
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2012-01-18
专利名称：一种双面溅射金属层减小硅圆片翘曲的结构
专利号：201210012854.2
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2012-01-16
专利名称：圆片级芯片尺寸封装应力缓冲结构
专利号：201210011301.5
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2012-01-13
专利名称：制作TSV时采用的二次湿法腐蚀支撑晶圆分离的工艺
专利号：201210006254.5
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2012-01-10
专利名称：一种采用非对准键合工艺来制作TSV的电镀方法
专利号：201210006294.X
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2012-01-10
专利名称：高深宽比深孔的种子层的制备方法
专利号：ZL201110457844.5
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2011-12-31
专利名称：一种基于BCB/Au制作集成射频贴片微带天线的方法
专利号：ZL201110434081.2
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2011-12-21
专利名称：一种制作锥形穿硅通孔时采用的刻蚀方法
专利号：201110288669.1
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2011-09-23
专利名称：一种可用于微波频段的圆片级穿硅传输结构及制造方法
专利号：ZL201110324618.X
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2011-10-21
专利名称：双面布线封装的圆片级大厚度光敏BCB背面制作方法
专利号：ZL201110324631.5
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2011-10-21
专利名称：低温下砷化镓图像传感器圆片级芯片尺寸封装工艺
专利号：ZL201110419770.6
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2011-12-15
专利名称：GaAs CCD图形传感器圆片级芯片尺寸封装工艺
专利号：ZL201110419761.7
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2011-12-15
专利名称：基于聚酰亚胺和填充物腐蚀的湿度传感器结构改进及方法
专利号：201110369062.6
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2011-11-18
