专利

专利名称：MEMS圆片级气密封装的单腐蚀槽结构
专利号：ZL200910198656.8
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2009-11-11
专利名称：硅基埋置型微波多芯组件的多层互连封装结构及制作方法
专利号：ZL200910054611.3
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2009-07-10
专利名称：一种圆片级封装多层互连结构、制作方法及应用
专利号：ZL200910054616.6
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2009-07-10
专利名称：一种Low-k芯片封装结构
专利号：PCI/CN2011/081113
专利权人：江阴长电先进封装有限公司
时间：2011-10-21
专利名称：一种Low-k芯片封装方法􀁪
专利号：PCI/CN2011/081112
专利权人：江阴长电先进封装有限公司
时间：2011-10-21
专利名称：无硅通孔高可靠性图像传感器封装结构的实现方法
专利号：201110294728.6
专利权人：江阴长电先进封装有限公司
时间：2011-10-08
专利名称：无硅通孔低成本图像传感器封装结构
专利号：201110294771.2
专利权人：江阴长电先进封装有限公司
时间：2011-10-08
专利名称：无硅通孔低成本图像传感器封装结构的实现方法
专利号：201110294774.6
专利权人：江阴长电先进封装有限公司
时间：2011-10-08
专利名称：低成本芯片扇出结构的封装方法
专利号：ZL201110033765.1
专利权人：江阴长电先进封装有限公司
时间：2011-01-31
专利名称：晶圆级转接板的备制方法
专利号：ZL201110033791.4
专利权人：江阴长电先进封装有限公司
时间：2011-01-31
专利名称：后通孔互联型园片级MOSFET封装结构及实现方法
专利号：ZL201110033785.9
专利权人：江阴长电先进封装有限公司
时间：2011-01-31
专利名称：通孔互联型园片级MOSFET封装结构及实现方法
专利号：ZL201110033784.4
专利权人：江阴长电先进封装有限公司
时间：2011-01-31
专利名称：沟槽互联型园片级MOSFET封装结构及实现方法
专利号：ZL201110033783.X
专利权人：江阴长电先进封装有限公司
时间：2011-01-31
专利名称：碳纳米管团簇作芯片凸点的倒装芯片封装结构的制作方法
专利号：201010229511.2
专利权人：江阴长电先进封装有限公司
时间：2010-07-22
专利名称：封装载板结构及其实现方法
专利号：201010110766.7
专利权人：江阴长电先进封装有限公司
时间：2010-02-05
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