专利

专利名称：高压器件集成电路的制造方法
专利号：201110009610.4
专利权人：
时间：2011-01-17
专利名称：非对称高压MOS器件的制造方法及结构
专利号：201110021188.4
专利权人：
时间：2011-01-19
专利名称：LDMOS晶体管制造方法及LDMOS晶体管
专利号：201110407803.5
专利权人：
时间：2011-12-09
专利名称：肖特基二极管器件及其制造方法
专利号：201110022680.3
专利权人：
时间：2011-01-20
专利名称：LDMOS阵列的版图结构
专利号：201110297918.3
专利权人：
时间：2011-09-30
专利名称：适用于外延EPI工艺的零标形成方法
专利号：201110240915.6
专利权人：
时间：2011-08-22
专利名称：高压器件集成电路的制造方法
专利号：201110009610.4
专利权人：
时间：2011-01-17
专利名称：多晶硅熔丝构成的OTP器件及其操作方法
专利号：201010521508.8
专利权人：
时间：2010-10-27
专利名称：静电保护二极管
专利号：201010511191.X
专利权人：
时间：2010-10-19
专利名称：高压静电保护器件
专利号：201010511125.2
专利权人：
时间：2010-10-19
专利名称：兼容自对准孔的MOSFET闸极膜结构及图形制作方法
专利号：201010507354.7
专利权人：
时间：2010-10-14
专利名称：LDMOS器件结构及其制作方法
专利号：201010505593.9
专利权人：
时间：2010-10-13
专利名称：金属氧化物半导体晶体管ESD保护结构及其制备方法
专利号：201010505474.3
专利权人：
时间：2010-10-13
专利名称：垂直的齐纳二极管结构及其制备方法
专利号：201010291813.2
专利权人：
时间：2010-09-26
专利名称：用作静电防护结构的器件
专利号：201010290452.X
专利权人：
时间：2010-09-25
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