专利
专利名称：LDMOS高压器件结构及制备方法
专利号：201010274487.4
专利名称：MOS晶体管的器件失配的修正方法
专利号：201010271617.9
专利名称：电容的器件失配的修正方法
专利号：201010271615.X
专利名称：改善LDMOS性能一致性和稳定性的方法
专利号：201010270127.7
专利名称：N型射频LDMOS中多晶硅P型沉阱的制造方法
专利号：201010265249.7
专利名称：N型射频LDMOS的制造方法
专利号：201010257297.1
专利名称：MTP器件的单元结构
专利号：201010251562.5
专利名称：DMOS器件及制造方法
专利号：201010227093.3
专利名称：半导体器件上的电阻及其制作方法
专利号：201010100526.9
专利名称：SRAM单元
专利号：201010027351.3
专利名称：高压隔离型LDNMOS及其制造方法
专利号：201010027350.9
专利名称：高压隔离型LDNMOS器件及其制造方法
专利号：201010027348.1
专利名称：纵向沟槽MOS器件的制备方法
专利号：201010027318.0
专利名称：多晶硅二极管的串联结构
专利号：201010027315.7
专利名称：DDDMOS器件及其制造方法
专利号：201010027308.7
