专利
专利名称：硅控整流器结构及其制造方法
专利号：201010027324.6
专利名称：硅控整流器结构及其制造方法
专利号：201010027336.9
专利名称：功率MOS晶体管的终端结构及其制造方法
专利号：201010027325.0
专利名称：DDDMOS器件
专利号：201010027307.2
专利名称：二极管及其制造方法
专利号：201010027327.X
专利名称：隔离型LDNMOS器件及其制造方法
专利号：201010027309.1
专利名称：高压隔离N型晶体管及高压隔离P型晶体管
专利号：201010027316.1
专利名称：LDMOS及其制造方法
专利号：201010027277.5
专利名称：双极晶体管的基区制造方法
专利号：201010027278.X
专利名称：LDMOS器件的源区及其制造方法
专利号：201010027292.X
专利名称：二极管及其制造方法
专利号：201010027291.5
专利名称：双扩散漏高压MOSFET的制造方法
专利号：201010027301.5
专利名称：检测晶圆的方法
专利号：201010027297.2
专利名称：ESD高压DMOS器件及其制造方法
专利号：201010027281.1
专利名称：LDMOS的埋层
专利号：201010027289.8
