专利
专利名称：小线宽沟槽DMOS的实现方法
专利号：201010027229.6
专利名称：增强斜角离子注入阻挡能力的方法
专利号：201010027219.2
专利名称：浅沟隔离槽
专利号：201010027221.X
专利名称：OTP器件
专利号：201010027222.4
专利名称：MTP器件单元结构及其操作方法
专利号：200910202022.5
专利名称：提高沟槽MOS器件的性能的方法
专利号：200910201962.2
专利名称：P型OTP器件及其制造方法
专利号：200910201966.0
专利名称：BCD工艺中的自对准高压CMOS制造工艺方法
专利号：200910201967.5
专利名称：提高沟槽型功率MOS器件的击穿电压的方法
专利号：200910201963.7
专利名称：功率NMOS器件的制备方法
专利号：200910201929.X
专利名称：自对准BCD工艺中DMOS背栅沟道区的注入方法
专利号：200910201894.X
专利名称：MTP器件的单元结构及其操作方法
专利号：200910201913.9
专利名称：LDMOS及其制造方法
专利号：200910201890.1
专利名称：PMOS OTP器件的建模方法
专利号：200910201881.2
专利名称：ESD保护电路及其制造方法
专利号：200910201865.3
