专利
专利名称：一种双阱制造工艺方法
专利号：200910201855.X
专利名称：功率MOS晶体管内集成肖特基二极管的工艺方法
专利号：200910201856.4
专利名称：具有开关控制特性的电压基准电路
专利号：200910201853.0
专利名称：MTP器件的单元结构
专利号：200910201836.7
专利名称：DDDMOS及其制造方法
专利号：200910201835.2
专利名称：应用于多电源片上系统的混合型锁存器
专利号：200910201826.3
专利名称：OTP器件的单元结构及其制造方法、操作方法
专利号：200910201838.6
专利名称：多晶二极管及其制作方法
专利号：200910201827.8
专利名称：OTP器件的单元结构及其制造方法
专利号：200910201782.4
专利名称：横向高压MOS器件及其制造方法
专利号：200910201761.2
专利名称：用作静电保护结构的MOS晶体管及其制造方法
专利号：200910201758.0
专利名称：LDMOS及其制造方法
专利号：200910201753.8
专利名称：提高功率MOS晶体管工作频率的结构及方法
专利号：200910201763.1
专利名称：BCD工艺中隔离结构的制造方法
专利号：200910201710.X
专利名称：LDMOS器件及其制造方法
专利号：200910201692.5
