专利
专利名称：高压DMOS器件
专利号：200910201690.6
专利名称：双极NPN型带隙基准电压电路
专利号：200910057948.X
专利名称：电压基准电路
专利号：200910057947.5
专利名称：积累型MOS变容管的电学模型
专利号：200910057781.7
专利名称：降低功率场效应晶体管栅极电阻的方法及结构
专利号：200910057532.8
专利名称：减小自对准LDMOS中寄生管效应的方法
专利号：200910057521.X
专利名称：位线预处理存储装置及方法
专利号：200910057473.4
专利名称：自对准沟道型横向扩散金属氧化物半导体管的制作方法
专利号：200910057472.X
专利名称：LDMOS制造方法
专利号：200910057474.9
专利名称：BCD工艺中自对准沟道的DMOS的制备方法
专利号：200910057451.8
专利名称：降低湿法腐蚀后薄膜侧面接触角的方法
专利号：200910057388.8
专利名称：电压基准电路
专利号：200910057316.3
专利名称：包含DMOS晶体管的集成电路的制备方法
专利号：200910057314.4
专利名称：OTP器件及制备方法
专利号：200910057153.9
专利名称：提高LDMOS器件的崩溃电压的方法
专利号：200910057159.6
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2009-04-29
