专利
专利名称：一种超低压实现带通滤波器的双二阶单元
专利号：200910303498.8
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2009-06-22
专利名称：一种低压高精度带隙基准电压源设计
专利号：201210102173.5
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2012-04-09
专利名称：一种CMOS集成电路抗辐照加固电路
专利号：200910244519.3
专利权人：北京中科新微特科技开发股份有限公司
时间：2009-12-30
专利名称：基于SOI的射频LDMOS器件及对其进行注入的方法
专利号：200910236718.X
专利权人：北京中科新微特科技开发股份有限公司
时间：2009-10-28
专利名称：一种CMOS电路单粒子瞬态的建模方法
专利号：200910089598.5
专利权人：北京中科新微特科技开发股份有限公司
时间：2009-07-22
专利名称：一种基于SOI的SiGe-HBT晶体管的制备方法
专利号：PCT/CN2012/087731
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2012-12-27
专利名称：一种基于SOI的SiGe-HBT晶体管的制备方法
专利号：PCT/CN2012/087707
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2012-12-27
专利名称：一种六晶体管静态随机存储器单元及其制作方法
专利号：PCT/CN2012/087700
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2012-12-27
专利名称：一种基于SOI的纵向SiGe双极晶体管及其制备方法
专利号：PCT/CN2012/087669
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2012-12-27
专利名称：Modeling Method of SPICE Model Series of SOI FET
专利号：US 2013/0054209 A1
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2011-09-25
专利名称：Method for Determining BSIMSOI4 DC Model Parameters
专利号：US 2013/0054210 A1
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2011-09-25
专利名称：Equivalent Electrical Model of SOI FET of Body Leading-Out Structure, and Modeling Method Thereof
专利号：US 2013/0054219 A1
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2011-09-25
专利名称：MOS Structure with Suppressed SOI Floating Body Effect and Manufacturing Method thereof
专利号：US 2011/0291191 A1
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2010-07-14
专利名称：MOS-type ESD Protection Device in SOI and Manufacturing Method Thereof
专利号：US 2011/0221002 A1
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2010-07-14
专利名称：PD SOI Device With a Body Contact Structure
专利号：US 8937354 B2
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2010-09-08
