专利
专利名称：TCAD Emulation Calibration Method Of SOI Field Effect Transistor
专利号：US 8667440 B2
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2011-09-23
专利名称：Manufacturing Method of SOI MOS Device Eliminating Flating Body Effects
专利号：US 8324035 B2
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2010-09-08
专利名称：SOI MOS Device Having a Source/Body Ohmic Contact and Manufacturing Acturing Method Thereof
专利号：US 8354310 B2
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2010-09-07
专利名称：SOI MOS Device Having BTS Structure and Manufacturing Method Thereof
专利号：US 8354714 B2
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2010-09-07
专利名称：Method of Reducing Floating Body Effect of SOI MOS Device Via a Large Tilt Ion Implantation
专利号：US 84050195 B2
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2010-07-14
专利名称：Vertical SOI Bipolar Junction Transistor and Manufacturing Method thereof
专利号：US 8629029 B2
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2010-07-14
专利名称：表征静态随机存储器单元抗电流噪声容限的方法及测试结构
专利号：2.0141E+11
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2014-08-22
专利名称：提高部分耗尽型SOI器件射频性能的制备方法
专利号：2.0131E+11
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2014-01-16
专利名称：具有BTS结构的SOI MOS器件及其制作方法
专利号：2.0101E+11
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2010-07-13
专利名称：基于SOI的锗硅异质结双极晶体管及其制作方法
专利号：CN 102916041 B
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2014-01-15
专利名称：一种基于SOI的SiGe-HBT晶体管的制备方法
专利号：CN 102800590 B
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2012-08-24
专利名称：一种基于SOI的SiGe-HBT晶体管的制备方法
专利号：CN 102800589 B
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2012-08-24
专利名称：一种六晶体管静态随机存储器单元及其制作方法
专利号：CN 102779837 B
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2012-08-15
专利名称：一种基于SOI的纵向SiGe双极晶体管及其制备方法
专利号：CN 102592998 A
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2012-03-22
专利名称：一种SON结构MOSFET的制备方法
专利号：CN 102339754 B
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2010-07-22
