专利

专利名称：一种具有体接触结构的PD SOI器件
专利号：CN 101931008 B
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2010-07-13
专利名称：SiGe-HBT晶体管及其制备方法
专利号：CN 102569069 B
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2012-03-09
专利名称：双晶体管储存器
专利号：CN 102360564 B
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2011-09-23
专利名称：一种SOI场效应晶体管SPICE模型系列的建模方法
专利号：CN 102176215 B
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2011-03-24
专利名称：体引出结构SOI场效应晶体管等效电学模型及建模方法
专利号：CN 102147828 A
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2011-03-24
专利名称：一种SOI电路中的ESD保护结构及制作方法
专利号：CN 102082144 B
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2010-11-04
专利名称：一种具有扩展型沟槽的DRAM结构及其制作方法
专利号：CN 101997000 B
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2010-08-24
专利名称：防止浮体及自加热效应的MOS器件结构及其制造方法
专利号：CN 101986435 B
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2010-06-25
专利名称：BSIMSOI4直流模型参数的确定方法
专利号：CN 101976283 B
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2010-10-21
专利名称：防止浮体及自加热效应的MOS器件结构及其制备方法
专利号：CN 101924138 B
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2010-06-25
专利名称：实现源体欧姆接触且基于SOI的MOS器件制作方法
专利号：CN 101950723 B
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2010-07-06
专利名称：抑制浮体效应的SOI MOS器件结构的制作方法
专利号：CN 101916726 B
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2010-07-06
专利名称：一种浮体动态随机存储器的单元结构及其制作工艺
专利号：CN 101771052 B
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2009-12-25
专利名称：一种浮体动态随机存储器的单元结构及其制作工艺
专利号：CN 101771051 B
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2009-12-25
专利名称：混合材料反型模式全包围栅CMOS场效应晶体管
专利号：CN 101719500 B
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2009-12-01
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