专利

专利名称：混合材料积累型圆柱体全包围栅CMOS场效应晶体管
专利号：CN 101719499 B
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2009-12-01
专利名称：一种SOI纵向双极晶体管及其制作方法
专利号：CN 102104063 B
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2009-12-17
专利名称：用于绝缘体上硅技术的MOS型ESD保护结构及其制作方法
专利号：CN 102104048 B
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2009-12-17
专利名称：利用MOSFET输入输出特性确定MOSFET BSIM模型参数宽度偏移量的方法
专利号：CN 101726274 B
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2009-12-01
专利名称：射频开关电路
专利号：201610890766.0
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2016-10-12
专利名称：射频开关器件及其形成方法
专利号：201610160489.8
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2016-03-21
专利名称：半导体结构及其形成方法
专利号：201610630036.7
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2016-08-03
专利名称：用于薄膜SOI结构的LDMOS器件结构
专利号：201610596050.x
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2016-07-27
专利名称：SOI射频开关结构及集成电路
专利号：201610596479.9
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2016-07-27
专利名称：SOI器件结构及其制造方法
专利号：201610596475.0
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2016-07-27
专利名称：SOI器件及其制作方法
专利号：201610516741.4
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2016-07-04
专利名称：SOI射频开关结构及集成电路
专利号：201610596338.7
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2016-07-27
专利名称：SOI射频开关结构及集成电路
专利号：201610596449.8
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2016-07-27
专利名称：射频开关电路
专利号：201610890770.7
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2016-10-12
专利名称：射频器件的形成方法
专利号：14/156,865
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2014-01-16
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