专利
专利名称：半导体器件的形成方法
专利号：14/140,738
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2013-12-26
专利名称：绝缘体上硅射频器件及绝缘体上硅衬底
专利号：14/134,432
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2013-12-19
专利名称：互连线结构及互连线结构的形成方法
专利号：14/036,953
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2013-09-25
专利名称：电流复用低噪声放大器
专利号：201410160568.X
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2014-04-21
专利名称：半导体器件结构及其形成方法
专利号：201410085853.X
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2014-03-10
专利名称：深沟槽填充结构及其制作方法
专利号：201310371227.2
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2013-08-22
专利名称：部分耗尽绝缘体上硅器件结构
专利号：201310385893.1
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2013-08-29
专利名称：电感及其形成方法、集成无源器件及其形成方法
专利号：201310315006.3
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2013-07-24
专利名称：晶体管的形成方法
专利号：201310204999.7
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2013-05-28
专利名称：双极型晶体管模型及相应的参数提取方法
专利号：201310156240.6
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2013-04-28
专利名称：一种增加电感的表面面积的方法
专利号：201310320984.7
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2013-07-26
专利名称：像素单元的制作方法和图像传感器的制作方法
专利号：201310199770.9
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2013-05-24
专利名称：半导体器件的形成方法
专利号：201310058916.8
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2013-02-25
专利名称：半导体器件的形成方法
专利号：201310204990.6
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2013-05-28
专利名称：射频器件的形成方法
专利号：201310205814.4
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2013-05-28