专利

专利名称：标记晶圆的方法、具有标记的晶圆
专利号：201210085163.5
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-03-27
专利名称：一种对金属电容上电极的刻蚀方法
专利号：201210081771.9
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-03-26
专利名称：测试装置及对应的测试方法
专利号：201210122338.5
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-04-24
专利名称：晶体管的制造方法
专利号：201210085880.8
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-03-27
专利名称：半导体电阻器制造方法、半导体电阻器以及电子设备
专利号：201210093710.4
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-03-31
专利名称：有效薄层电荷密度获取方法
专利号：201110296324.0
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-09-30
专利名称：有效薄层电荷密度获取方法
专利号：201110300022.6
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-09-30
专利名称：绝缘体上硅结构及其制造方法、半导体器件
专利号：201110296304.3
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-09-30
专利名称：沟槽制造方法及半导体器件制造方法
专利号：201110218617.7
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-08-01
专利名称：电容器及其形成方法
专利号：201110213511.8
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-07-28
专利名称：用于版图原理图一致性验证的MOS晶体管建模方法
专利号：201110187373.0
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-07-05
专利名称：半导体器件制备过程中光阻的去除方法
专利号：201110187080.2
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-07-06
专利名称：电感耦合等离子体质谱测试方法
专利号：201110176492.6
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-06-28
专利名称：芯片的测试系统
专利号：201110218619.6
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-08-01
专利名称：绝缘体上的硅衬底制作工艺及绝缘体上的硅器件制作工艺
专利号：201110176526.1
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-06-28
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