专利
专利名称：绝缘体上的硅衬底结构及器件
专利号：201110176472.9
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-06-28
专利名称：半导体器件制备过程中氮化硅层的制备方法
专利号：201110176487.5
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-06-28
专利名称：半导体器件制备过程中导电层的刻蚀方法
专利号：201110187065.8
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-07-05
专利名称：半导体器件制备过程中的加载互锁装置
专利号：201110224889.8
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-08-08
专利名称：半导体器件刻蚀方法以及半导体器件
专利号：201110176495.x
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-06-28
专利名称：SRAM单元
专利号：201110213098.5
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-07-28
专利名称：阶梯状氧化层场板的制作方法
专利号：201110142081.5
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-05-27
专利名称：射频开关
专利号：201210030432.8
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-02-10
专利名称：消除栅极侧壁再沉积的方法和半导体器件
专利号：201110076576.2
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-03-29
专利名称：浅槽隔离结构的制备方法
专利号：201110103149.9
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-04-25
专利名称：MIM电容失配模型及其建立方法
专利号：201110108284.2
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-04-28
专利名称：电荷泵电路
专利号：201110176474.8
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-06-28
专利名称：晶圆参数的检测方法
专利号：201110061642.9
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-03-15
专利名称：硅锗碳薄膜质量检测方法和半导体器件制造方法
专利号：201110076569.2
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-03-29
专利名称：栅极结构的形成方法
专利号：201110057597.X
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-03-10