专利
专利名称：纳米晶浮栅存储器及其制备方法
专利号：201110022339.8
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-01-20
专利名称：一种对存储器芯片进行擦除的方法
专利号：201110274850.7
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-09-16
专利名称：一种消除阈值电压影响的电荷泵
专利号：201110264978.5
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-09-08
专利名称：电荷俘获型非挥发存储器及其制备方法
专利号：201110261292.0
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-09-06
专利名称：电荷俘获型栅堆栈及存储单元
专利号：201110050091.6
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-03-02
专利名称：复合存储单元和存储器
专利号：201110046327.9
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-02-25
专利名称：一种存储器多模访问控制方法及其片上SRAM存储器控制系统
专利号：201010594827.1
专利名称：一种基于测试向量相容的三游程编码压缩方法及其解压缩方法
专利号：201010539334.8
专利名称：基于解码缓冲器的循环指令处理装置
专利号：201010184865.X
专利名称：一种基于拒绝采样的粒子滤波算法的非线性动态系统信号处理方法
专利号：201010161088.7
专利名称：一种纳米工艺标准单元延迟参数提取方法
专利号：201010272042.2
专利名称：一种增加标准单元通孔提升芯片成品率的方法
专利号：201010104758.1
专利名称：一种基于测试向量相容的测试向量编码压缩方法
专利号：200910100309.7
专利名称：一种检测CMOS工艺硅栅随机缺陷的方法
专利号：200910153380.1
专利名称：一种采用自对准工艺的半导体存储器结构及其制造方法
专利号：200910247548.5
