专利
专利名称：一种薄膜晶体管存储器及其制备方法
专利号：201210102964.8
专利名称：非晶铟镓锌氧化物薄膜的原子层淀积制备方法
专利号：201210079451.X
专利名称：一种背栅薄膜晶体管存储器的制备方法
专利号：201210066084.X
专利名称：一种适用于快闪存储器的高密度铂纳米晶的制备方法
专利号：201110208419.2
专利名称：一种金属纳米晶的制备方法
专利号：201110049373.4
专利名称：一种半导体存储器结构及其控制方法
专利号：201010023061.1
专利名称：基于氧化铌薄膜的电阻随机存储器及其制备方法
专利号：200910196301.5
专利名称：一种快速闪存存储器单元及其制备方法
专利号：200910199049.3
专利名称：室温下制备高密度金纳米晶的方法及用途
专利号：200910053004.5
专利名称：一种可擦写的金属-绝缘体-硅电容器结构
专利号：200910196299.1
专利名称：一种禁带宽度连续可调的高介电常数薄膜材料及制备方法
专利号：200910197206.7
专利名称：Semiconductor memory device with buried drain and memory array
专利号：PCT/CN2010/002152
专利名称：A Thin Film Transistor Memory and Its Fabricating Method
专利号：13/812070
专利名称：A preparation method of high density ZnO nanodots
专利号：11830091.2-1355
专利名称：A gate stack structure and fabricating method used for semiconductor flash memory device
专利号：PCT/CN2011/000891;EP11789049.1
