专利
专利名称：一种适用于半导体闪存器件的栅叠层结构及其制备方法
专利号：201110130484.8
专利名称：一种高密度氧化锌纳米颗粒的制备方法
专利号：201110139316.5
专利名称：一种内嵌高密度钯纳米晶的介质薄膜的制备方法
专利号：201010221406.4
专利名称：一种聚合物基的纳米晶存储器电容及其制作方法
专利号：201010242586.4
专利名称：一种多阻态电阻随机存储器单元及其制备方法
专利号：200910201267.6
专利名称：一种半导体存储器结构及其制备方法
专利号：201010105581.7
专利名称：一种金属纳米晶存储器栅叠层的制备方法
专利号：201010242584.5
专利名称：适用于快闪存储器的高密度钯纳米晶的制备方法
专利号：201010234892.3
专利名称：适用于闪存器件的高密度钴纳米点的制备方法
专利号：200910200238.8
专利名称：一种混合纳米晶存储器的电容结构及其制备方法
专利号：200910196300.0
专利名称：存储器阵列
专利号：13/253,855
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2011-10-05
专利名称：存储器
专利号：12/988,125
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2010-10-15
专利名称：共享字线的分栅式闪存
专利号：12/988,852
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2010-10-21
专利名称：一种用于静电放电的器件及其制造方法
专利号：12/812,852
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2010-07-14
专利名称：存储器字线高度的控制方法
专利号：201110299630.x
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2011-09-30
