专利

专利名称：检测存储器记忆能力的方法
专利号：201110298229.4
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2011-09-28
专利名称：共享源线的闪存单元及其形成方法
专利号：201110298218.6
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2011-09-28
专利名称：闪存单元及其形成方法
专利号：201110300213.2
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2011-09-28
专利名称：闪存单元及其形成方法
专利号：201110300184.X
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2011-09-28
专利名称：闪存
专利号：201110300758.3
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2011-09-28
专利名称：电荷泵电路
专利号：201110301129.2
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2011-09-28
专利名称：一种嵌入式闪存的制作方法
专利号：201110301256.2
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2011-09-28
专利名称：新型双晶体管SONOS闪存存储单元结构及其操作方法
专利号：201110294682.8
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2011-09-28
专利名称：分栅式闪存及其制造方法
专利号：201110257403.0
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2011-09-01
专利名称：闪存的编程验证优化方法
专利号：201110257443.5
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2011-09-01
专利名称：位反转电路
专利号：201110257387.5
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2011-09-01
专利名称：分栅式闪存制造方法
专利号：201110257373.3
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2011-09-01
专利名称：编程电压产生电路及其传输电路
专利号：201110257481.0
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2011-09-01
专利名称：闪存
专利号：201110257705.8
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2011-09-01
专利名称：SONOS结构和SONOS存储器的形成方法
专利号：201110254591.1
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2011-08-31
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