专利
专利名称：存储器和灵敏放大器
专利号：201110254260.8
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2011-08-31
专利名称：SONOS结构和SONOS存储器的形成方法
专利号：201110254594.5
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2011-08-31
专利名称：SONOS结构、SONOS存储器
专利号：201110254595.X
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2011-08-31
专利名称：SOI型MOS晶体管的测试结构及其的形成方法
专利号：201110250692.1
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2011-08-29
专利名称：SONOS结构及其制作方法
专利号：201110247684.1
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2011-08-26
专利名称：存储器及其形成方法
专利号：201110213522.6
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2011-07-28
专利名称：存储器及其冗余替代方法
专利号：201110185887.2
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2011-07-04
专利名称：电压调节电路
专利号：201110176488.x
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2011-06-28
专利名称：一种闪存的编程/擦除方法
专利号：201110176473.3
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2011-06-28
专利名称：可自调节字线电压的闪存
专利号：201110176529.5
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2011-06-28
专利名称：参考电流产生电路
专利号：201110142063.7
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2011-05-27
专利名称：静态随机存储器的制备方法
专利号：201110142176.7
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2011-05-27
专利名称：具有层叠浮栅和控制栅结构的存储器的制备方法
专利号：201110142062.2
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2011-05-27
专利名称：非易失性存储器及其制造方法
专利号：201110142037.4
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2011-05-27
专利名称：非易失性存储器及其制造方法
专利号：201110142020.9
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2011-05-27