专利
专利名称：压控振荡器的保护电路
专利号：CN 201110108291.2
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2011-04-28
专利名称：分栅式存储器制造方法以及分栅式存储器
专利号：201110103156.9
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2011-04-25
专利名称：存储器和灵敏放大器
专利号：201110103116.4
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2011-04-22
专利名称：稳压电路
专利号：201110103118.3
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2011-04-22
专利名称：存储器和灵敏放大器
专利号：201110103217.1
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2011-04-22
专利名称：一种或非型闪存的数据擦除方法
专利号：201110102999.7
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2011-04-22
专利名称：静态随机存取存储器
专利号：201110061665.x
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2011-03-15
专利名称：低压差线性稳压器结构
专利号：201110061761.4
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2011-03-15
专利名称：闪存的擦除电压上升控制电路
专利号：201110061741.7
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2011-03-15
专利名称：静态随机存取存储器
专利号：201110061754.4
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2011-03-15
专利名称：闪存及其编程方法
专利号：201110061751.0
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2011-03-15
专利名称：分栅闪存单元及其制造方法
专利号：CN 201110057567.9
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2011-03-10
专利名称：分栅闪存单元及其制造方法
专利号：CN 201110058351.4
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2011-03-10
专利名称：ESD器件的制作方法
专利号：201110057674.1
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2011-03-10
专利名称：一种闪存电路
专利号：201110057568.3
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2011-03-10