专利

专利名称：存储器制备方法
专利号：201110035568.3
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2011-02-10
专利名称：存储器制备方法
专利号：CN 201110035566.4
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2011-02-10
专利名称：存储器陈列
专利号：201110035558.X
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2011-02-10
专利名称：比较电路
专利号：CN 201110032446.9
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2011-01-28
专利名称：P型MOS存储单元
专利号：201110032426.1
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2011-01-28
专利名称：OTP器件的形成方法
专利号：CN 201110029501.9
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2011-01-27
专利名称：OTP器件的形成方法
专利号：201110029887.3
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2011-01-27
专利名称：多层堆栈的半导体器件的结构及形成方法
专利号：201110028185.3
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2011-01-26
专利名称：锁相环及其快速锁定装置
专利号：201110028239.6
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2011-01-26
专利名称：非易失性存储器及其读取电路
专利号：201110028254.0
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2011-01-26
专利名称：存储器测试模式信号产生电路及方法
专利号：201110009113.4
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2011-01-17
专利名称：电压调节电路
专利号：CN 201110009117.2
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2011-01-17
专利名称：具有冗余电路的存储器以及为存储器提供冗余电路的方法
专利号：201110009199.0
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2011-01-17
专利名称：分栅闪存单元及其制作方法
专利号：201110009217.5
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2011-01-17
专利名称：P型MOS存储单元
专利号：201110009103.0
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2011-01-17
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