专利
专利名称：分立栅快闪存储器及其制造方法
专利号：201110002794.1
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2011-01-07
专利名称：分栅闪存单元及其制作方法
专利号：201110002731.6
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2011-01-07
专利名称：分栅闪存单元及其制造方法
专利号：201110002780.X
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2011-01-07
专利名称：存储器以及制造存储器的方法
专利号：CN 201010241550.4
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2010-07-30
专利名称：改善60纳米以下高压器件阈值电压变化曲线的方法
专利号：201010235682.6
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2010-07-23
专利名称：改善60纳米以下高压器件阈值电压变化曲线的方法
专利号：CN 201010235658.2
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2010-07-23
专利名称：电阻模型提取方法
专利号：CN 201010229343.7
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2010-07-16
专利名称：电荷泵输出电压调节电路
专利号：201010229341.8
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2010-07-16
专利名称：电压产生电路以及存储器
专利号：CN 201010241576.9
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2010-07-30
专利名称：一种晶体管的制作方法
专利号：CN 201010235711.9
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2010-07-23
专利名称：半导体器件及其制造方法
专利号：201010504391.2
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2010-10-12
专利名称：芯片擦除方法
专利号：201010504613.0
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2010-10-12
专利名称：保护SPICE模型IP核的方法
专利号：201010278608.2
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2010-09-10
专利名称：负电压斜率控制电路
专利号：CN 201010250534.1
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2010-08-11
专利名称：提高监测晶片利用率的方法
专利号：201010241588.1
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2010-07-30