专利
专利名称：灵敏放大器以及存储器
专利号：201010241571.6
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2010-07-30
专利名称：编程电压补偿电路
专利号：CN 201010241557.6
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2010-07-30
专利名称：传动带缺陷检测装置及检测方法
专利号：201010241536.4
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2010-07-30
专利名称：相变存储器的自限写入脉冲发生电路
专利号：201010235566.4
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2010-07-23
专利名称：刻蚀图形的形成方法
专利号：201010241601.3
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2010-07-30
专利名称：芯片可接受度测试方法
专利号：CN 201010278654.2
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2010-09-10
专利名称：监控位线电压的监控电路及监控方法
专利号：201010250544.5
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2010-08-11
专利名称：在ONO制造工艺中检测Cu含量的方法
专利号：CN 201010250542.6
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2010-08-11
专利名称：带位线电容检测的读出放大器
专利号：201010278626.0
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2010-09-10
专利名称：电源配置方法及电源配置结构
专利号：201010278618.6
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2010-09-10
专利名称：闪存单元、闪存装置及其编程方法
专利号：CN 201010504721.8
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2010-10-12
专利名称：基准电压产生电路
专利号：201010504725.6
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2010-10-12
专利名称：化学气相沉积炉
专利号：201010504602.2
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2010-10-12
专利名称：片上系统及其设计方法
专利号：201010519476.8
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2010-10-25
专利名称：纳米晶体器件编程/擦除的方法
专利号：201010519468.3
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2010-10-25