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专利
专利名称:
电荷泵时钟产生电路
专利号:
CN 201010192829.8
专利权人:上海宏力半导体制造有限公司
时间:2010-05-26
专利名称:
内嵌在SOC内的存储模块及内嵌存储模块的SOC
专利号:
201010192831.5
专利权人:上海宏力半导体制造有限公司
时间:2010-05-26
专利名称:
半导体结构及其形成方法
专利号:
201010168838.3
专利权人:上海宏力半导体制造有限公司
时间:2010-04-29
专利名称:
电荷泵电路及存储器
专利号:
CN 201010168837.9
专利权人:上海宏力半导体制造有限公司
时间:2010-04-29
专利名称:
复合电源电路以及双向晶闸管
专利号:
201010143961.X
专利权人:上海宏力半导体制造有限公司
时间:2010-03-31
专利名称:
栅驱动晶闸管以及静电保护电路
专利号:
CN 201010144064.0
专利权人:上海宏力半导体制造有限公司
时间:2010-03-31
专利名称:
内嵌晶闸管的PMOS晶体管以及开关电路
专利号:
CN 201010144072.5
专利权人:上海宏力半导体制造有限公司
时间:2010-03-31
专利名称:
具有输入电压转换单元的存储器
专利号:
CN 201010125885.X
专利权人:上海宏力半导体制造有限公司
时间:2010-03-08
专利名称:
存储器
专利号:
201010125875.6
专利权人:上海宏力半导体制造有限公司
时间:2010-03-08
专利名称:
存储器
专利号:
CN 201010125884.5
专利权人:上海宏力半导体制造有限公司
时间:2010-03-08
专利名称:
电荷泵系统及存储器编程电路
专利号:
201010111192.5
专利权人:上海宏力半导体制造有限公司
时间:2010-02-09
专利名称:
CDM ESD保护电路
专利号:
CN 201010111101.8
专利权人:上海宏力半导体制造有限公司
时间:2010-02-09
专利名称:
MIN电容器及其形成工艺
专利号:
201010111152.0
专利权人:上海宏力半导体制造有限公司
时间:2010-02-09
专利名称:
一种半导体存储器、半导体存储器系统及其对应编程方法
专利号:
201010133573.3
专利权人:上海宏力半导体制造有限公司
时间:2010-03-26
专利名称:
集成电感及其制造方法
专利号:
201010198432.x
专利权人:上海宏力半导体制造有限公司
时间:2010-06-11
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