专利
专利名称：一种降低闪存待机功耗的结构及其方法
专利号：201010198412.2
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2010-06-11
专利名称：CMOS带隙基准电压产生电路
专利号：201010187337.x
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2010-05-28
专利名称：共享字线的分栅式闪存的擦除方法
专利号：201010187348.8
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2010-05-28
专利名称：一种有效避免闩锁效应的可控硅ESD保护结构
专利号：201010187380.6
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2010-05-28
专利名称：一种利用内建自测提高读取速度的闪存及其方法
专利号：CN 201010187353.9
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2010-05-28
专利名称：存储器的供电结构
专利号：CN 201010187365.1
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2010-05-28
专利名称：共享字线的无触点纳米晶分栅式闪存及其制造方法
专利号：CN 201010172665.2
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2010-05-12
专利名称：共享字线的无触点氮化硅分栅式闪存及其制造方法
专利号：CN 201010172664.8
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2010-05-12
专利名称：共享字线的无触点SONOS分栅式闪存
专利号：CN 201010172658.2
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2010-05-12
专利名称：共享字线的无触点纳米晶分栅式闪存
专利号：201010172657.8
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2010-05-12
专利名称：一种双极型晶体管电流放大系数测量方法
专利号：CN 201010164895.4
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2010-04-29
专利名称：获得快闪存储单元电容耦合率的方法
专利号：CN 201010164928.5
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2010-04-29
专利名称：可增加写入裕量的静态随机存取存储器
专利号：CN 201010163847.3
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2010-04-29
专利名称：共享字线的无触点纳米晶分栅式闪存
专利号：CN 201010164918.1
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2010-04-29
专利名称：共享字线的无触点SONOS分栅式闪存
专利号：CN 201010164900.1
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2010-04-29