专利
专利名称：一种闪存
专利号：201010123688.4
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2010-03-12
专利名称：一种闪存制作方法
专利号：CN 201010123670.4
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2010-03-12
专利名称：多晶硅存储器
专利号：CN 201010123727.0
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2010-03-12
专利名称：晶体硅存储器制作方法
专利号：CN 201010123665.3
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2010-03-12
专利名称：分立栅快闪存储器及其制造方法
专利号：CN 201010123642.2
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2010-03-12
专利名称：一种自对准多晶硅浮栅的制作方法
专利号：201010123730.2
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2010-03-12
专利名称：共享字线的无触点分栅式闪存及其制造方法
专利号：CN 201019063032.5
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2010-02-05
专利名称：掩膜只读存储器
专利号：201019063036.3
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2010-02-05
专利名称：共享字线的无触点分栅式闪存制造方法
专利号：CN 201019063031.0
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2010-02-05
专利名称：纳米晶分栅式闪存的制造过程
专利号：CN 201019063030.6
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2010-02-05
专利名称：分栅型埋入式浮栅的非易失性存储器的制造方法
专利号：CN 201010102331.8
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2010-01-28
专利名称：共享字线的分栅式闪存制造方法
专利号：CN 201010102356.8
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2010-01-28
专利名称：多金属钨栅极刻蚀方法
专利号：201010102341.1
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2010-01-28
专利名称：提高分栅式闪存耐用性的擦除方法
专利号：CN 201010102344.5
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2010-01-28
专利名称：共享字线的无触点分栅式闪存
专利号：201010102359.1
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2010-01-28