专利

专利名称：高压横向扩散金属氧化物半导体晶体管结构的制作方法
专利号：201010022706.x 
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2010-01-12
专利名称：分栅型非易失性存储器及其制造方法
专利号：CN 201010022703.6 
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2010-01-12
专利名称：分栅型埋入式浮栅的非易失性存储器及其制造方法
专利号：CN 201010022708.9 
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2010-01-12
专利名称：分栅型非易失性存储器及其制造方法
专利号：CN 201010022707.4 
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2010-01-12
专利名称：共享字线的分栅式闪存
专利号：200910199443.7
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-11-26
专利名称：高深宽比间隙掺杂层间介质的填充方法
专利号：200910199436.7
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-11-26
专利名称：MOS晶体管器件栅氧化层完整性测试的方法
专利号：CN 200910198562.0
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-11-10
专利名称：与时间相关电介质击穿的并行测试电路
专利号：CN 200910197809.7
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-10-28
专利名称：一种可提高成形质量的CVD氧化硅制造方法
专利号：200910198554.6
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-11-10
专利名称：一种可减小侧墙坡度的氧化层制造方法
专利号：CN 200910198550.8
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-11-10
专利名称：一种共电极薄SOI纵向双极型晶体管器件及其制造方法
专利号：CN 200910198552.7
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-11-10
专利名称：一种薄SOI纵向双极型晶体管及其制造方法
专利号：CN 200910198549.5
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-11-10
专利名称：避免双峰效应的横向扩散金属氧化物半导体晶体管结构
专利号：CN 200910198558.4
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-11-10
专利名称：延迟锁相环电路
专利号：200910197821.8
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-10-28
专利名称：一种共享字线的分栅式闪存的编程方法
专利号：200910198557.x
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-11-10
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