专利

专利名称：一种存储器阵列
专利号：CN 200910197806.3
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-10-28
专利名称：共享字线的基于多晶硅浮栅的分栅式闪存
专利号：200910197114.9
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-10-13
专利名称：共享字线的基于氮化硅浮栅的分栅式闪存
专利号：200910197118.7
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-10-13
专利名称：共享存储单元的分栅式闪存
专利号：200910197127.6
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-10-13
专利名称：一种晶片表面水汽去除方法
专利号：CN 200910198553.1
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-11-10
专利名称：刻蚀工艺用的挡片及防止挡片跳片的方法
专利号：CN 200910197820.3
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-10-28
专利名称：共享字线的分栅式闪存
专利号：200910197119.1
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-10-13
专利名称：共享存储单元的分栅式闪存
专利号：CN 200910197120.4
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-10-13
专利名称：一种降低芯片电源焊盘键合引线上电流的方法
专利号：CN 200910197804.4
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-10-28
专利名称：一种HIMOS FLASH存储单元结构及其制造方法
专利号：200910197105.x
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-10-13
专利名称：一种增加PMOS有效沟道长度的方法
专利号：CN 200910197805.9
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-10-28
专利名称：大马士革CMP凹陷程度的监测机构及其电阻测试方法
专利号：CN 200910197811.4
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-10-28
专利名称：并行测量热载流子注入效应的电路
专利号：CN 200910197116.8
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-10-13
专利名称：闪存芯片的测试方法
专利号：CN 200910198561.6
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-11-10
专利名称：基于SOI的电容
专利号：CN 200910197108.3
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-10-13
上一页