专利
专利名称：用于多电源芯片的电源总线结构
专利号：CN 200910194447.6
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-08-17
专利名称：半导体器件的形成方法
专利号：200910194444.2
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-08-17
专利名称：双极结型晶体管、双极CMOS集成电路及制造方法
专利号：CN 200910194454.6
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-08-17
专利名称：一种锁相环
专利号：200910196121.7
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-09-22
专利名称：一种电荷泵
专利号：200910196120.2
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-09-22
专利名称：曲率补偿带隙电压发生器
专利号：CN 200910196445.0
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-09-25
专利名称：外延片形成方法及使用该方法形成的外延片
专利号：CN 200910196119.X
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-09-22
专利名称：浅槽隔离结构的制作方法
专利号：200910196127.4
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-09-22
专利名称：浅槽隔离结构的制作方法
专利号：200910196128.9
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-09-22
专利名称：二极管反向电容的测量方法
专利号：CN 200910196125.5
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-09-22
专利名称：提取电阻模型长度偏差值的方法
专利号：CN 200910196448.4
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-09-25
专利名称：MIM电容模型的提取方法
专利号：CN 200910196112.8
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-09-22
专利名称：柱状电容器、堆叠型同轴柱状电容器及其制造方法
专利号：CN 200910194436.8
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-08-21
专利名称：一种提高晶体管性能的方法
专利号：200910194438.7
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-08-21
专利名称：金属层互连制作方法
专利号：200910196469.6
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-09-25