专利

专利名称：高阻态电阻的制造方法
专利号：CN 200910196118.5
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-09-22
专利名称：场效应晶体管制造方法
专利号：CN 200910196129.3
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-09-22
专利名称：提高SRAM读取状态稳定性的方法
专利号：200910196470.9
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-09-25
专利名称：SCR静电保护器件
专利号：200910194585.4
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-08-25
专利名称：用于CMOS工艺中N沟道场效应晶体管阵列的版图设计方法
专利号：200910196472.8
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-09-25
专利名称：一种补偿电容的电压调制效应的方法
专利号：CN 200910196449.9
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-09-25
专利名称：闪存单元制造工艺
专利号：200910194435.3
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-08-21
专利名称：在多晶硅膜层中形成窄沟槽结构的制备方法
专利号：200910055509.5
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-07-28
专利名称：测量曝光机台焦平面均匀度的方法
专利号：CN 200910055377.6
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-07-24
专利名称：单层多晶硅HBT非本征基区的掺杂方法
专利号：CN 200910055367.2
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-07-24
专利名称：具防止静电破坏的光罩
专利号：200910055372.3
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-07-24
专利名称：一种浮栅为SONOS结构的闪存
专利号：CN 200910196452.0
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-09-25
专利名称：一种闪存
专利号：CN 200910194584.x
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-08-25
专利名称：晶片刻蚀方法
专利号：CN 200910196450.1
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-09-25
专利名称：高压工艺中静电放电保护二极管的制作方法
专利号：200910196126.x
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-09-22
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