专利
专利名称：掩模刻蚀制程中减少多晶硅损失的方法
专利号：CN 200910055381.2
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-07-24
专利名称：一种半导体测试结构
专利号：CN 200910196451.6
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-09-25
专利名称：静电放电保护晶体管及其制造方法
专利号：200910194579.9
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-08-25
专利名称：用于MOS电容的浅沟槽隔离结构的制作方法
专利号：CN 200910055373.8
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-07-24
专利名称：晶圆清洗装置
专利号：200910055376.1
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-07-24
专利名称：一种集成电感
专利号：200910194583.5
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-08-25
专利名称：一种集成电感
专利号：200910053708.2
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-06-24
专利名称：用于提高焦深的光刻散射条及其制造方法
专利号：CN 200910053710.x
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-06-24
专利名称：典型MOS晶体管噪声模型的建模方法
专利号：200910053012.x
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-06-12
专利名称：一种基于纳米晶的非挥发性存储器
专利号：200910055389.9
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-07-24
专利名称：晶圆表面粗糙度检测方法
专利号：CN 200910055374.2
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-07-24
专利名称：用于RF领域的工作频率可控的HBT结构
专利号：CN 200910053711.4
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-06-24
专利名称：一种刻蚀方法
专利号：CN 200910053011.5
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-06-12
专利名称：栅极制造方法
专利号：200910052545.6
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-06-04
专利名称：一种四晶体管SRAM单元制造方法
专利号：CN 200910052809.8
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-06-09