专利

专利名称：嵌入式外延外基区双极晶体管及其制备方法
专利号：201210153269.4
专利权人：清华大学
时间：2012-05-16
专利名称：嵌入式外延外基区双极晶体管及其制备方法
专利号：201210153147.5
专利权人：清华大学
时间：2012-05-16
专利名称：嵌入式外延外基区双极晶体管及其制备方法
专利号：201210153217.7
专利权人：清华大学
时间：2012-05-16
专利名称：嵌入式外延外基区双极晶体管及其制备方法
专利号：201210153063.1
专利权人：清华大学
时间：2012-05-16
专利名称：嵌入式外延外基区双极晶体管及其制备方法
专利号：201210153410.0
专利权人：清华大学
时间：2012-05-16
专利名称：嵌入式外延外基区双极晶体管及其制备方法
专利号：201210153148.X
专利权人：清华大学
时间：2012-05-16
专利名称：锗硅异质结双极晶体管结构
专利号：201110453797.7
专利权人：清华大学
时间：2011-12-30
专利名称：带应变增强结构的半导体应变MOS器件及制备工艺
专利号：201110308925.9
专利权人：清华大学
时间：2011-10-12
专利名称：射频侧向扩散金属氧化物半导体器件及制备方法
专利号：201110220539.4
专利权人：清华大学
时间：2011-08-02
专利名称：三面硅化栅极金属氧化物半导体场效应晶体管及其制备方法
专利号：201010191020.3
专利权人：清华大学
时间：2010-06-03
专利名称：一种多系统、多频段的RFID天线
专利号：US13/634,244
专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
时间：2012-09-12
专利名称：平面八边形螺旋结构的生成方法
专利号：201110457980.4
专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
时间：2011-12-30
专利名称：片上集成铜电感
专利号：201110457979.1
专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
时间：2011-12-30
专利名称：一种去除铜互连中阻挡层残留的方法
专利号：201110457369.1
专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
时间：2011-12-30
专利名称：确定热载流子注入器件寿命的方法
专利号：201110401432.X
专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
时间：2011-12-06
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