专利

专利名称：一种低应力钽氮薄膜的制备方法
专利号：201110327938.0
专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
时间：2011-10-25
专利名称：MOSFET器件电学特性变化测量结构及测量方法
专利号：201010618739.0
专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
时间：2010-12-31
专利名称：钝化层及其制造方法
专利号：201010297229.8
专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
时间：2010-09-29
专利名称：浅沟槽隔离结构形成方法
专利号：201010278674.X
专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
时间：2010-09-10
专利名称：平面螺旋电感
专利号：201010263865.9
专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
时间：2010-08-24
专利名称：四边形平面螺旋电感
专利号：201010229369.1
专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
时间：2010-07-16
专利名称：RFID天线制作方法及其结构
专利号：201010187387.8
专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
时间：2010-05-28
专利名称：平面螺旋电感
专利号：200910247751.2
专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
时间：2009-12-30
专利名称：集成电路中的片上天线结构及其制造方法
专利号：200910247748.0
专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
时间：2009-12-30
专利名称：用于ESD防护的MOS器件的形成方法
专利号：200910247747.6
专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
时间：2009-12-30
专利名称：一种防止深沟绝缘工艺中产生空洞的方法
专利号：200910199972.7
专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
时间：2009-12-04
专利名称：一种MOSFET频率特性偏差检测器及检测方法
专利号：200910055782.8
专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
时间：2009-07-31
专利名称：一种集成电路电阻电容工艺参数波动检测器及使用方法
专利号：200910055781.3
专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
时间：2009-07-31
专利名称：MOSFET BSIM3 热载流子注入可靠性模型的建模方法
专利号：ZL200910052963.5
专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
时间：2009-06-12
专利名称：连续形成两道深度不同的孔或槽的工艺方法(201210207060.1)
专利号：201210207060.1
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-06-27
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