专利
专利名称：解决晶体管的IdVg曲线双峰现象的方法(201210183016.1)
专利号：201210183016.1
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-06-05
专利名称：光刻掩膜版的良率提升方法(201210170234.1)
专利号：201210170234.1
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-05-28
专利名称：多层膜的栅结构及其制造方法(201210162834.3)
专利号：201210162834.3
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-05-23
专利名称：栅结构及其制造方法(201210163766.2)
专利号：201210163766.2
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-05-23
专利名称：光刻关键尺寸的量测标记(201210162852.1)
专利号：201210162852.1
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-05-23
专利名称：半导体器件结构及其制作工艺方法(201210145087.2)
专利号：201210145087.2
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-05-11
专利名称：改善肖特基二极管击穿电压均一性的方法(201210145086.8)
专利号：201210145086.8
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-05-11
专利名称：用于背面EMMI失效分析的装置及失效分析方法(201210145127.3)
专利号：201210145127.3
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-05-11
专利名称：硅通孔及其填充方法 (201210133314.X)
专利号：201210133314.X
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-04-28
专利名称：一种多晶硅沟槽回刻蚀方法(201210133336.6)
专利号：201210133336.6
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-04-28
专利名称：多通道智能漏液及断线检测系统(201210118329.9)
专利号：201210118329.9
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-04-20
专利名称：氮氧化硅薄膜的制造方法(201210113406.1)
专利号：201210113406.1
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-04-17
专利名称：硅通孔背面导通的制造工艺方法(201210109678.4)
专利号：201210109678.4
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-04-16
专利名称：一种单向导电耐压器件及其制造方法(201210101666.7)
专利号：201210101666.7
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-04-09
专利名称：用于半导体芯片的切割道(201210094575.5 )
专利号：201210094575.5
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-04-01
