专利
专利名称：抑制P型yin埋层中的硼杂质外扩的方法（201210022022.9）
专利号：201210022022.9
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-02-01
专利名称：一种PIP多晶硅刻蚀工艺方法（201110360070.4 ）
专利号：201110360070.4
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-11-14
专利名称：半导体工艺中制作细长型孤立线条图形的方法（201110374967.2 ）
专利号：201110374967.2
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-11-22
专利名称：可编程的多晶硅熔丝器件结构以及其工艺实现方法（201110355675.4 ）
专利号：201110355675.4
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-11-11
专利名称：防止浅沟槽隔离边缘漏电的方法（201110407859.0 ）
专利号：201110407859.0
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-12-09
专利名称：一种成长无缝填充非晶硅沟槽的方法（201110348910.5 ）
专利号：201110348910.5
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-11-07
专利名称：孔的光学临近效应修正方法（201110309664.2 ）
专利号：201110309664.2
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-10-13
专利名称：一种保护厚金属层光刻对准标记的方法（201110288823.5）
专利号：201110288823.5
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-09-26
专利名称：一种氧化钨通孔的制作方法（201110349717.3 ）
专利号：201110349717.3
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-11-08
专利名称：改善锗硅膜层厚度均一性的方法（201110388437.3 ）
专利号：201110388437.3
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-11-29
专利名称：一种应用于方孔图形的光学临近修正方法（201110348872.3 ）
专利号：201110348872.3
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-11-07
专利名称：一种NMOS器件及其制造方法（201110340533）
专利号：201110340533.0
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-11-01
专利名称：埋层引出结构及其制造方法（201110349910.7 ）
专利号：201110349910.7
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-11-08
专利名称：具有可扩展性漂移区电阻的高压晶体管模型方法（201110312430.3 ）
专利号：201110312430.3
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-10-14
专利名称：一种穿过硅片接触孔的电阻测试结构及测试方法（201110388433.5）
专利号：201110388433.5
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-11-29
