专利
专利名称：金属熔丝结构及其制造方法（201110346468.2）
专利号：201110346468.2
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-11-04
专利名称：改善硅接触孔刻蚀工艺窗口的方法（201110388423.1）
专利号：201110388423.1
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-11-29
专利名称：快速热处理设备及方法（201110366757.9 ）
专利号：201110366757.9
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-11-18
专利名称：有赝埋层的锗硅HBT降低集电极电阻的制造方法及器件（201110254207.8 ）
专利号：201110254207.8
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-08-31
专利名称：一种锗硅异质结双极晶体管的制造方法（201110226958.9 ）
专利号：201110226958.9
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-08-09
专利名称：一种锗硅异质结双极晶体管的制造方法（201110227538.2 ）
专利号：201110227538.2
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-08-09
专利名称：隔离层刻蚀方法（201110214895.5 ）
专利号：201110214895.5
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-07-29
专利名称：光学临近效应修正工艺模型的建模方法（201110214901.7 ）
专利号：201110214901.7
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-07-29
专利名称：划片槽内的射频测试图形结构（201110213029.4 ）
专利号：201110213029.4
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-07-28
专利名称：螺旋状电感的地屏蔽结构（201110213470.2 ）
专利号：201110213470.2
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-07-28
专利名称：用湿法可显影填充材料实现高台阶表面图形暴光的方法（201110172446.9）
专利号：201110172446.9
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-06-23
专利名称：HDP-CVD工艺淀积衬垫二氧化硅层的方法（201110170427.2）
专利号：201110170427.2
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-06-22
专利名称：干法刻蚀的方法（201110070085.7）
专利号：201110070085.7
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-03-23
专利名称：用于改善湿法刻蚀金属工艺的方法（201110043311.2）
专利号：201110043311.2
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-02-23
专利名称：浅沟槽隔离的制造方法（201110009482.3 ）
专利号：201110009482.3
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-01-17
