专利
专利名称：一种大尺寸通孔的制作方法（201110054327.3）
专利号：201110054327.3
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-03-08
专利名称：一种改善硅片周边光刻胶形貌的方法（201110021322.0 ）
专利号：201110021322.0
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-01-19
专利名称：一种高掺杂磷硅玻璃薄膜的制备方法（201110008499.7）
专利号：201110008499.7
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-01-17
专利名称：BICMOS集成工艺中寄生管阱区的制造方法（201010560984）
专利号：201010560984.0
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2010-11-26
专利名称：半导体器件的埋层制造方法（201010578347.6）
专利号：201010578347.6
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2010-12-08
专利名称：金属-氧化物-金属电容结构（201010567021.3）
专利号：201010567021.3
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2010-12-01
专利名称：高速锗硅异质结双极晶体管的制造方法（201010596088.X）
专利号：201010596088.X
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2010-12-20
专利名称：改善杂质注入型多晶硅发射极杂质浓度分布的方法（201010596316.3）
专利号：201010596316.3
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2010-12-20
专利名称：锗硅异质结双极晶体管多指结构（201010537896.9）
专利号：201010537896.9
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2010-11-10
专利名称：低集电极/基极电容SiGe异质结双极晶体管结构及制造方法（201010517831.8）
专利号：201010517831.8
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2010-10-25
专利名称：射频单芯片系统中的屏蔽环结构（201010517834.1）
专利号：201010517834.1
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2010-10-25
专利名称：降低鍺硅外延表面缺陷的方法（201010518024.8）
专利号：201010518024.8
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2010-10-25
专利名称：外延生长方法（201010514570.4）
专利号：201010514570.4
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2010-10-21
专利名称：半导体集成电感的制作方法及结构（201010520897.2）
专利号：201010520897.2
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2010-10-27
专利名称：锗硅异质结双极晶体管的制造方法（201010277649.X）
专利号：201010277649.X
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2010-09-09
