专利
专利名称：半导体器件结构及其制作方法（201010270100.8）
专利号：201010270100.8
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2010-08-31
专利名称：降低外延工艺中自掺杂与外扩散的方法（201010265205.4）
专利号：201010265205.4
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2010-08-26
专利名称：用于制造锗硅碳器件中的光刻标记结构及其制备方法（201010283792.X）
专利号：201010283792.X
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2010-09-16
专利名称：SiGe HBT发射极与基极之间隔离的膜层结构及方法（201010280753.4）
专利号：201010280753.4
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2010-09-14
专利名称：硅外延膜厚测试标准片的制作方法（201010265314.6）
专利号：201010265314.6
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2010-08-26
专利名称：考虑趋肤效应的模拟射频MIM电容的电路结构（201010257270.2）
专利号：201010257270.2
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2010-08-19
专利名称：模拟顶层次顶层金属不等厚的多电流路径叠层电感的电路结构（201010257559.4）
专利号：201010257559.4
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2010-08-19
专利名称：不等宽多电流路径电感（201010257564.5）
专利号：201010257564.5
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2010-08-19
专利名称：用于尺寸缩小性工艺的SPICE模型建立方法（201010221575.8）
专利号：201010221575.8
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2010-07-08
专利名称：防止选择性外延掩模层底部切口形貌的结构和方法（201010221607.4）
专利号：201010221607.4
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2010-07-08
专利名称：三极管发射极侧墙的形成方法（201010100503.8)
专利号：201010100503.8
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2010-01-25
专利名称：集成电路上金属薄膜电阻及其制作方法（201010100492.3）
专利号：201010100492.3
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2010-01-25
专利名称：改善硅锗淀积表面粗糙度的方法（201010027341.X）
专利号：201010027341.X
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2010-01-21
专利名称：改善发射极与基极多晶硅侧墙隔离的方法（201010027340.5）
专利号：201010027340.5
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2010-01-21
专利名称：螺旋片状电感结构及其制备方法（201010027330.1）
专利号：201010027330.1
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2010-01-20
