专利
专利名称：等金属长度的多指电感(201010027244.0)
专利号：201010027244.0
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2010-01-11
专利名称：获得倾斜沟槽结构或改变沟槽结构倾斜角的制作工艺方法(201010027234.7)
专利号：201010027234.7
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2010-01-06
专利名称：半导体差分电感结构（200910202043.7）
专利号：200910202043.7
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2009-12-24
专利名称：提高半导体螺旋电感Q值的隔离方法（200910202040.3）
专利号：200910202040.3
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2009-12-24
专利名称：顶层和次顶层金属等厚的叠层差分电感（200910201912.4）
专利号：200910201912.4
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2009-12-09
专利名称：利用多层金属并联的双层电感（200910201903.5）
专利号：200910201903.5
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2009-12-09
专利名称：金属厚度不相等的不等宽片上叠层电感（200910201904.X）
专利号：200910201904.X
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2009-12-08
专利名称：顶层和次顶层金属均加厚的集成电路制作方法及叠层电感（200910201908.8）
专利号：200910201908.8
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2009-12-08
专利名称：堆叠式差分电感（200910201901.6）
专利号：200910201901.6
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2009-12-08
专利名称：利用金属对齐以增加互感的叠层电感（200910201900.1）
专利号：200910201900.1
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2009-12-08
专利名称：半导体射频器件的射频测试方法(200910201789.6)
专利号：200910201789.6
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2009-11-12
专利名称：提高外延生长后套刻精度的方法（200910057166.6）
专利号：200910057166.6
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2009-05-04
专利名称：Stack inductor with multiple current pathes （12/960,133）
专利号：12/960,133
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2010-12-03
专利名称：Stack differential inductor（12/960,166）
专利号：12/960,166
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2010-12-03
专利名称：Stack inductor and its fabrication method of IC with thick top two metal layers （12/960,065）
专利号：12/960,065
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2010-12-03
