专利
专利名称：Pick-up electrode in LOCOS process（12/979,802）
专利号：12/979,802
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2010-12-28
专利名称：Bipolar transistors（12/966,241）
专利号：12/966,241
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2010-12-13
专利名称：Structure for picking up a collector and manufacturing method thereof (13/899040)
专利号：13/899040
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2013-05-21
专利名称：Ultra high voltage SiGe HBT and manufacturing method thereof （13/680506)
专利号：13/680506
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-11-19
专利名称：Ultra-high voltage SiGe HBT device and manufacturing method of the same (13/911375)
专利号：13/911375
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2013-06-06
专利名称：锗硅BiCMOS工艺中的寄生PNP双极晶体管（13/228,305）
专利号：13/228,305
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-09-08
专利名称：锗硅异质结双极晶体管（13/271,126，US8395188）
专利号：13/271,126，US8395188
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-10-11
专利名称：SiGe Heterojunction bipolar transistor multi-finger structure（US 8, 227, 832 B2 (申请号12/971,063)）
专利号：US 8, 227, 832 B2 (申请号12/971,063)
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2010-12-17
专利名称：Stack inductor with multiple metal layers in parallel（12/963,462，US8289118）
专利号：12/963,462，US8289118
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2010-12-08
专利名称：Stack inductor with metal layers of different thicknesses（12/958,080）
专利号：12/958,080
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2010-12-01
专利名称：Manufacturing approach for collector and a buried layer of bipolar transistor （US 8, 222, 114 B2 (申请号12/979,907)）
专利号：US 8, 222, 114 B2 (申请号12/979,907)
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2010-12-28
专利名称：Manufacturing approach for collector and a buried layer for bipolar transistor（12/979,999）
专利号：12/979,999
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2010-12-28
专利名称：Parasitic vertical PNP and its fabrication in BiCMOS process（12/963,242）
专利号：12/963,242
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2010-12-08
专利名称：Parasitic vertical PNP bipolar transistor and its fabrication method in BiCMOS process（12/975,545）
专利号：12/975,545
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2010-12-22
专利名称：Parasitic vertical PNP in BiCMOS process（12/978,552）
专利号：12/978,552
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2010-12-25
