专利
专利名称：硅片上被对准层图形的形成方法(200910057866.5)
专利号：200910057866.5
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2009-09-03
专利名称：改善高密度等离子体化学气相淀积的磷硅玻璃形貌的方法200910201880.8
专利号：200910201880.8
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2009-11-30
专利名称：用于硅衬底湿法刻蚀的直接光刻胶掩膜的光刻工艺方法(201010027344.3)
专利号：201010027344.3
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2015-02-15
专利名称：带自动保护的电压基准电路(200910057471.5)
专利号：200910057471.5
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2015-02-15
专利名称：光刻工艺中精确对准的校正方法(200910057883.9)
专利号：200910057883.9
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2009-09-07
专利名称：在直接化学机械抛光工艺的产品中共用SL掩模板的方法(200910201877.6)
专利号：200910201877.6
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2009-11-30
专利名称：湿法刻蚀机台及消除硅片刻蚀差异的方法(200910057265.4)
专利号：200910057265.4
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2009-05-15
专利名称：光学临近效应修正方法(201210203733.6)
专利号：201210203733.6
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-06-19
专利名称：垂直金属/绝缘层/金属MIM电容及其制造方法(201210202078.2)
专利号：201210202078.2
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-06-18
专利名称：超高压锗硅异质结双极晶体管及其制备方法(201210187217.9)
专利号：201210187217.9
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-06-08
专利名称：垂直MIM电容及其制造方法(201210187209.4)
专利号：201210187209.4
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-06-08
专利名称：NMOS开关器件的制作方法(201210187139.2)
专利号：201210187139.2
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-06-08
专利名称：瞬变电压抑制二极管PN结的实现方法(201210188975.2)
专利号：201210188975.2
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-06-08
专利名称：TVS器件及制造方法(201210182968.1)
专利号：201210182968.1
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-06-05
专利名称：TVS器件及制造方法(201210182946.5)
专利号：201210182946.5
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-06-05
