专利
专利名称：具有超低结电容密度的pn结及其制造方法(201210181021.9)
专利号：201210181021.9
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-06-04
专利名称：在半导体基底上同时生长单晶和多晶的方法(201210181336.3)
专利号：201210181336.3
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-06-04
专利名称：锗硅异质结双极型三极管器件的制造方法(201210171863.6 )
专利号：201210171863.6
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-05-29
专利名称：锗硅HBT和CMOS器件集成的制造方法和器件结构(201210170088.2)
专利号：201210170088.2
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-05-28
专利名称：一种半导体器件有源区或多晶硅折角处电阻的测量结构及测量方法(201210170156.5)
专利号：201210170156.5
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-05-28
专利名称：半导体器件中双层保护层的制作工艺方法(201210170086.3)
专利号：201210170086.3
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-05-28
专利名称：用于显现MOS器件的AA结构缺陷的腐蚀方法(201210169502.8)
专利号：201210169502.8
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-05-23
专利名称：低电压差分信号传输驱动器电路(201210162855.5)
专利号：201210162855.5
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-05-23
专利名称：锗硅HBT器件的集电区引出结构及其制造方法(201210163784.0)
专利号：201210163784.0
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-05-23
专利名称：锗硅HBT的集电区引出结构及其制造方法(201210163783.6)
专利号：201210163783.6
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-05-23
专利名称：瞬态电压抑制器及其制造方法(201210161049.6)
专利号：201210161049.6
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-05-18
专利名称：半导体制品钨槽接触电阻测试结构及测试方法(201210154658.9)
专利号：201210154658.9
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-05-16
专利名称：一种瞬态电压抑制器及其制造方法(201210152857.6)
专利号：201210152857.6
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-05-16
专利名称：能够改善发射极窗口尺寸均匀性的SiGe器件的制造方法(201210147024.0)
专利号：201210147024.0
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-05-11
专利名称：金属熔丝的制造方法(201210147023.6)
专利号：201210147023.6
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-05-11
