专利
专利名称：薄硅片的制备方法(201210145549.0)
专利号：201210145549.0
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-05-11
专利名称：高密度等离子体化学气相沉积设备腔体刻蚀清洗方法(201210144425.0)
专利号：201210144425.0
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-05-10
专利名称：一种锗硅HBT器件及其制造方法(201210139894.3)
专利号：201210139894.3
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-05-08
专利名称：单端电感(201210139652.4)
专利号：201210139652.4
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-05-08
专利名称：电感(201210139654.3)
专利号：201210139654.3
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-05-08
专利名称：基准电压源(201210134329.8)
专利号：201210134329.8
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-05-02
专利名称：一种晶体管交流热载流子注入特性的测试结构(201210133459.X)
专利号：201210133459.X
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-04-28
专利名称：锁相环电路 (201210133450.9)
专利号：201210133450.9
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-04-28
专利名称：一种ESD电路保护结构(201210133340.2)
专利号：201210133340.2
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-04-28
专利名称：一种多晶硅二极管静电保护结构(201210133332.8)
专利号：201210133332.8
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-04-28
专利名称：一种单向导电耐压器件及其制造方法(201210101666.7)
专利号：201210101666.7
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-04-09
专利名称：一种SiGe HBT工艺中的VPNP器件及其制造方法（201110433999.5）
专利号：201110433999.5
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-12-21
专利名称：改善锗硅发射极多晶硅掺杂扩散均一性的方法（201110442724.8）
专利号：201110442724.8
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-12-26
专利名称：锗硅BiCMOS中的横向齐纳二极管结构及其实现方法（201210008189.X）
专利号：201210008189.X
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-01-12
专利名称：锗硅BiCMOS工艺中齐纳二极管及其制造方法（2012100041113.X）
专利号：2012100041113.X
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-01-06
